silence is complicity

今日は外に出る気も無かったので、渋谷での

「Vote Out The Scandal at Shibuya Scramble」

のライブを見ながら電子負荷の実験。

パワーMOSを使った通信制御のパワースイッチ(ハイサイドスイッチ)と組み合わせて自然空冷でどの程度耐えるかをチェック。

パワーMOS1個の仕様で、放熱器は0.5℃/Wのもので自然冷却。結果はというと30W(電源電圧10V 3A)程度までなら、ファン無しでOK。それ以上はちょっときついかも。信越の絶縁シートを使っての値なので、グリスのみならもう少し大丈夫か。30W時の放熱器の温度は60度くらい。

少し前のブログで、この基板を並列にすれば・・・と書きましたが、やはり1枚で150W位は動かしたくて現在パワーMOS2個仕様の基板を製作中。1個仕様と同じく、サーミスタでの温度検知保護付き。

冒頭の渋谷の街宣は日本居住の米国人によるもの。いやあ、日本人とは違いますねえ。さすが民主主義先進国の人たちって感じでした。イマジンの合唱もあったりして。

プラカードの「silence is complicity」が印象的。近い将来、戦争になったとき、戦争に行かされるであろう近所の子から、「なぜ、あなたたち大人はあの時に反対してくれなかったのですか?」と、問われたら何と答えますか? まさか、自分には関係無いと思った・・なんて答えられないなあ。