今日は外に出る気も無かったので、渋谷での
「Vote Out The Scandal at Shibuya Scramble」
のライブを見ながら電子負荷の実験。
パワーMOSを使った通信制御のパワースイッチ（ハイサイドスイッチ）と組み合わせて自然空冷でどの程度耐えるかをチェック。
パワーMOS１個の仕様で、放熱器は０．５℃／Wのもので自然冷却。結果はというと３０W（電源電圧１０V ３A)程度までなら、ファン無しでOK。それ以上はちょっときついかも。信越の絶縁シートを使っての値なので、グリスのみならもう少し大丈夫か。３０W時の放熱器の温度は６０度くらい。
少し前のブログで、この基板を並列にすれば・・・と書きましたが、やはり１枚で１５０W位は動かしたくて現在パワーMOS２個仕様の基板を製作中。１個仕様と同じく、サーミスタでの温度検知保護付き。
冒頭の渋谷の街宣は日本居住の米国人によるもの。いやあ、日本人とは違いますねえ。さすが民主主義先進国の人たちって感じでした。イマジンの合唱もあったりして。
プラカードの「silence is complicity」が印象的。近い将来、戦争になったとき、戦争に行かされるであろう近所の子から、「なぜ、あなたたち大人はあの時に反対してくれなかったのですか？」と、問われたら何と答えますか？ まさか、自分には関係無いと思った・・なんて答えられないなあ。