パワーMOS（IXFH96N15P）の放熱について、実測だけではなく計算してみました。
合計熱抵抗＝RthJC+RthCS+RthSA
＝０．３１＋０．２１＋０．１６
＝０．６８℃／W
RthJC： チャネル～ケース間 RthCS： ケース～放熱器間 RthSA： 放熱器～空気間
RthJCとRthCSはFETのデータシートから。RthSAは放熱器(TDEX3132/100FMF12G)のデータシートから。
RthCSは、絶縁シートを使うと目標値が達成できないので、グリスのみを使います。
許容損失＝（（TjMAX × ディレーティング）－Tamb ）÷ 合計熱抵抗
＝（（１７５℃×８０％）－４０℃）÷０．６８℃／W
＝１４７W （FET １素子での限界値）
Tamb: 周囲温度
放熱器の合計熱抵抗最大値＝（（TjMAX×ディレーティング）－Tamb)÷許容損失
＝（（１７５×８０％）-４０℃）÷１４７W
＝０．６８℃／W
要求される放熱器の熱抵抗＝合計熱抵抗－RthJC－RthCS
＝０．６８－０．３１－０．２１
＝０．１６℃／W
１４７W時のチャネル温度を計算すると
Tj=（（RthJC+RthCS+RthSA）×許容損失）＋Tamb
＝ （（０．３１℃／W＋０．２１℃／W＋０．１６℃／W）×１４７W）＋４０℃
＝１４０℃
と計算できます。
先日の実測値から計算すると、サンハヤトのグリスではRthCS＝０．２３℃／W、秋月のグリスではRthCSが０．１７℃／Wと計算できました。上記の計算ではFETのデータシートから０．２１℃／Wとしていますから、サンハヤトのグリスではわずかですが性能不足ですね。
（秋月のグリス HY-1で計算すると許容損失が１４７W→１５６Wとなります）
参考文献：
(書籍) トランジスタ技術SPECIAL １１６号 「はじめての電源回路設計Q&A集」
(WEB) 水谷電機工業 ヒートシンクに関する基礎情報